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石墨烯生長(cháng)專(zhuān)用設備

Plasma輔助法石墨烯制備設備

名稱(chēng)

等離子輝光滑軌PECVD系統

設備型號：PECVD-500A/PECVD-S-150A 設備簡(jiǎn)介：PECVD高溫真空爐加熱腔體采用氧化鋁纖維制品，其極低的熱導率和比熱容，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱，特別適合于科研單位的材料工藝研究。加熱元件選用電阻絲加熱，有利于爐內溫度場(chǎng)的均勻分布。高溫真空電阻爐溫度控制系統采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控制系統，控溫儀表選用智能型程序溫度調節儀表控溫，電力調制器控制；負載采用小電壓大電流控制，從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命，測溫元件采用K型熱偶。采用單回路溫控儀能夠自整定PID 參數，無(wú)須操作人員的干預，可自行根據不同溫度曲線(xiàn)的升、降溫要求調整輸出信號，同時(shí)系統設置了超溫、欠溫、斷偶報警保護功能，大大降低了對操作人員經(jīng)驗的要求，關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進(jìn)口產(chǎn)品，做到高性能、免維護，提高了設備質(zhì)量的可靠性。應用領(lǐng)域：本設備主要針對實(shí)驗石墨烯生長(cháng)和制備使用，同時(shí)該設備可以用于碳納米管的生長(cháng)?？芍苽涑龈哔|(zhì)量的透明導電膜,用作手機觸摸屏,平板電腦,智能穿戴,傳感器等領(lǐng)域。

名稱(chēng)

大口徑動(dòng)態(tài)plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150

設備型號：RTR-150 設備簡(jiǎn)介：該設備為我司研發(fā)用于材料連續生長(cháng)的專(zhuān)用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)腔體，質(zhì)量流量計氣路系統，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)。

名稱(chēng)

前端預熱滑軌式PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD

設備型號：BTF-1200C-II-SL-PECVD 設備簡(jiǎn)介：我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個(gè)實(shí)驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。該款設備是全自動(dòng)Plasma增強CVD系統（PECVD），系統可以實(shí)現連續滑動(dòng)溫區，連續可控制溫度及Plasma強度。PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：①電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應，從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。②通過(guò)反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。

名稱(chēng)

小型滑軌式PECVD系統 BTF-1200C-S-SL-PECVD

設備型號：BTF-1200C-S-SL-PECVD 設備簡(jiǎn)介：我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個(gè)實(shí)驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。該款設備是全自動(dòng)Plasma增強CVD系統（PECVD），系統可以實(shí)現連續滑動(dòng)溫區，連續可控制溫度及Plasma強度。PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：①電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應，從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。②通過(guò)反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。

名稱(chēng)

微型PECVD系統

設備簡(jiǎn)介：微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-150W可調; 溫度范圍寬：100-1200度可調;濺射區域寬：0-600mm可調;適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長(cháng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。

名稱(chēng)

前端預熱雙溫區滑軌PECVD BTF-1200C-II-SL-400C-PECVD

設備型號：BTF-1200C-II-SL-400C-PECVD 設備簡(jiǎn)介：PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應，從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。配有前端預加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為單溫區加熱爐?，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長(cháng)工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。

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