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非標定制

名稱(chēng)

設備型號：BTF-1200C-III-R-150 設備簡(jiǎn)介：本設備集成了一臺1200C的三溫區管式爐，溫區長(cháng)：300*300*300和一臺三溫區預熱爐，溫區長(cháng)：200*200*200；2路氣體流量和通過(guò)蠕動(dòng)泵控制的液體一起進(jìn)入盤(pán)管中，通過(guò)三溫區預熱爐預熱后導入右端法蘭進(jìn)氣口；通過(guò)法蘭內導液（氣）管進(jìn)入異形石英管反應區與儲料罐通過(guò)送料機構送入的粉料混合參與反應；左右端配置水冷磁流體法蘭；通過(guò)旋轉異形石英管攪拌試驗樣品；出料取樣通過(guò)電動(dòng)推桿升起抬高設備平臺，傾斜卸料；法蘭左端（末端）配備過(guò)濾冷凝裝置，用于未參與反應的液體。設備同時(shí)配套真空泵和冷水機，通過(guò)觸摸屏操控。

名稱(chēng)

粉體碳納米管生長(cháng)設備 BTF-1200C-3VT-5Z

名稱(chēng)

回轉放氣爐 BTF-700C-III-R

設備型號：BTF-700C-III-R 設備簡(jiǎn)介：本設備加熱爐采用電阻絲加熱，技術(shù)成熟質(zhì)量可靠，溫場(chǎng)均勻。爐管內部帶粉塵擋板，兩端為磁流體旋轉密封，爐管整體由伺服電機驅動(dòng)在加熱爐膛內旋轉，轉速可調。氣體緩沖罐，設計容量600L設置壓力泄放安全裝置。緩沖罐接口開(kāi)關(guān)控制全部為PLC智能電動(dòng)控制。高真空機組使用羅茨泵機組帶粉塵過(guò)濾器，抽速300L/S，真空度≤10pa，設置有粗真空旁抽管路，安全保護程序。廣泛應用于電池正負極材料、無(wú)強酸堿性粉體材料、顆粒狀物料等。

名稱(chēng)

間歇式CVD回轉爐 BTF-1200C-III-150-CVD

設備型號：BTF-1200C-III-150-CVD

名稱(chēng)

智能型大口徑高真空退火爐 BTF-1100C-IIIA-05

設備型號：BTF-1100C-IIIA-05

名稱(chēng)

單溫區立式攪拌爐 BTF-700C-VT-50

設備型號：BTF-700C-VT-50

名稱(chēng)

智能升降鐘罩爐 BTF-1200C-BELL

設備型號：BTF-1200C-BELL

名稱(chēng)

小型浮動(dòng)催化系統 BTF-1500C-CVD

設備型號：BTF-1500C-CVD

名稱(chēng)

定制型升華設備 BOF-2C-400D

設備型號：BOF-2C-400D

名稱(chēng)

雙管式高真空管式設備 BSL-1ZH-D80-2D

設備型號：BSL-1ZH-D80-2D 設備簡(jiǎn)介：雙管式高真空管式設備BSL-1ZH-D80-2D，配備真空系統、手搖升降機構、觸摸屏控制系統、氣路組件、真空系統、防護組件等；設備平臺可0-20度手動(dòng)升降，雙管高真空實(shí)驗；設備左端法蘭上每管配有壓力表和2個(gè)截止閥控制的進(jìn)氣口，其中一個(gè)為備用扣；右端法蘭上端配有壓力保護裝置，出氣口對接點(diǎn)火裝置，方便處理尾氣；后部通過(guò)手動(dòng)插板閥對接冷井至真空泵組合：分子泵+干泵。

名稱(chēng)

搖擺管式爐（Swing tube furnace）

型號：BTF-1200C-SK 關(guān)鍵詞：搖擺管式爐BTF-1200C-SK是一款管式搖擺爐，最高溫度可達1200℃，30段可編程精密溫度控制器,可根據不同的客戶(hù)需求來(lái)設定升降溫程序，設備可設定取放料工位（如垂直取放料），并設定搖擺起始工位（如垂直作為起始工位），可實(shí)現液晶屏一鍵歸位，速度范圍為0-30次/min，傾斜角度可達±30度。內置310不銹鋼防護管，可很好的在石英樣管出現特殊情況爆管的時(shí)候起到保護作用。產(chǎn)品用途：可通過(guò)搖擺提高熔體均勻性、細化晶粒，廣泛應用于熱電材料制備工藝中。

名稱(chēng)

雙獨立溫場(chǎng)高溫滑軌爐（High temperature slide furnace with double independent temperature field）

型號：BTF-1400C-II-SSL 關(guān)鍵詞：BTF-1400C-II-SSL是一款兩個(gè)完全獨立溫場(chǎng)的高溫滑軌爐，采為卡箍快捷密封法蘭，安裝拆卸取放樣品簡(jiǎn)便快捷，兩個(gè)數字溫度控制器可獨立控制溫度，并可設置30段升降溫程序，加熱區均采用硅碳棒進(jìn)行加熱，連續使用溫度可達1300度；兩個(gè)獨立的爐體可靠近亦可分離，可以靈巧的控制整個(gè)溫度分布。適用范圍：廣泛用于CVD實(shí)驗、熒光粉制備、真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實(shí)驗環(huán)境中。

名稱(chēng)

1200℃智能型PECVD系統（含壓力控制系統） PECVD-500A-D

設備型號： PECVD-500A-D 設備簡(jiǎn)介：智能PECVD-500A-D是將所有的控制部分集為一體且目前最新型的一款設備?？膳鋫銹E射頻電源，將CVD系統升級為PECVD。當參與反應的氣氛進(jìn)入爐管在射頻電源的作用下產(chǎn)生離子體，可使反應更加充分。同時(shí)等離子體起增強的作用，從而很大程度上優(yōu)化實(shí)驗的工藝條件。我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個(gè)實(shí)驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。與傳統CVD系統比較，生長(cháng)溫度更低。使用滑軌爐實(shí)現快速升溫和降溫，設備特有的專(zhuān)利技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長(cháng)。

名稱(chēng)

定制小型立式滑軌爐 BTF-700C-III-SVT

設備型號：BTF-700C-III-SVT

名稱(chēng)

1200℃前端預熱法硫化鉬制備CVD設備 BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D

設備型號：BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D 設備簡(jiǎn)介：前端預熱法硫化鉬制備CVD設備由預熱爐、三溫區管式爐、低真空機組和供氣系統組成。前端配有可加熱到500℃的預加熱器，輔助硫粉蒸發(fā)，后端為三溫區硫化爐，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便。同時(shí)搭配三路質(zhì)量流量計系統，可以精確控制實(shí)驗所需的氣體流量，低真空機組可以滿(mǎn)足抽真空的需求。

名稱(chēng)

800℃十六管熱穩定測試設備 BOF-800C-16D

設備型號：BOF-800C-16D 設備簡(jiǎn)介：熱穩定測試臺設備專(zhuān)為OLED行業(yè)發(fā)光有機材料熱穩定測試設計，其十六管結構可以一次獨立完成16種材料的測試，集成控制系統能統一記錄并分別控制各個(gè)腔體內的溫度和熱穩定測試時(shí)間。

名稱(chēng)

中試流化床-粉體碳納米管生長(cháng)設備 BTF-1200C-5VT-D200

設備型號：BTF-1200C-5VT-D200 設備簡(jiǎn)介：流化床—粉體碳納米管生長(cháng)設備可控及批量制備碳納米管設備，該設備包括有：流化床反應器、五溫區加熱裝置、催化劑裝載平臺、密封裝置。氣體經(jīng)過(guò)氣體流量控制裝置后與流化床反應器的進(jìn)氣口相連接，氣源進(jìn)入反應腔體后與催化劑發(fā)生反應，從而生長(cháng)碳納米管。

名稱(chēng)

磁控濺射儀 BT250

設備型號：BT250 設備簡(jiǎn)介：磁控濺射是利用磁場(chǎng)束縛電子的運動(dòng)（即磁控管模式），其結果導至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多，使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點(diǎn)。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復性好、薄膜與基片的附著(zhù)能力強，膜層純度高。

名稱(chēng)

1200℃智能型單溫區滑軌式熱處理設備 BTF-1200C-SL-4Z

設備型號：BTF-1200C-SL-4Z 設備簡(jiǎn)介：管式真空/氣氛提純分離裝置主要用途是在真空條件下預先抽真空后進(jìn)行惰性氣體洗氣。氣氛流動(dòng)（一進(jìn)一出，維持常壓）情況下對有機混合物進(jìn)行升華達到純化的目的（即蒸發(fā)后再結晶）。主要處理對象為具有升華性的有機材料或具有流動(dòng)相持性混合物如有機聲光產(chǎn)品（有機發(fā)光顯示器使用的有機光電材料）或納米材料。

名稱(chēng)

半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀

設備型號：BOF-6-210 設備簡(jiǎn)介：此設備在出料端配置對面四工位手套箱，手套箱內設置底鋪設四氟墊或噴涂特氟能起到防腐作用，半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異，對于材料進(jìn)行提純，參數準確，工藝可靠穩定，實(shí)驗結果表明，單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質(zhì)金屬離子濃度，將材料的純度提升一至三個(gè)數量級。整個(gè)操作過(guò)程材料與大氣隔絕，避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染，是制備高純度半導體前驅體及相關(guān)材料的最佳選擇。

名稱(chēng)

半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀

設備型號：BOF-5-100V 設備簡(jiǎn)介：此款設備將實(shí)驗級別的升華機右端料端均對接手套箱，手套箱可內襯四氟或噴涂特氟能起到防腐作用，半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異，對于材料進(jìn)行提純，參數準確，工藝可靠穩定，實(shí)驗結果表明，單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質(zhì)金屬離子濃度，將材料的純度提升一至三個(gè)數量級。整個(gè)操作過(guò)程材料與大氣隔絕，避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染，是制備高純度半導體前驅體及相關(guān)材料的最佳選擇。

名稱(chēng)

垂直式升華儀 BOF-2-200L

設備型號：BOF-2-200L 設備簡(jiǎn)介：本款設備專(zhuān)用于金屬有機物等低升華點(diǎn)腐蝕性材料的升華提純。原材料罐可以根據所需條件，自由選擇油浴、沙浴、電加熱等方式，通過(guò)對管道進(jìn)行加熱避免材料沉積在管道內；采用雙冷阱作為收集罐，可以對兩組分別升華收集；機械泵前設置深冷冷阱，避免殘余物質(zhì)進(jìn)入機械泵中，大大延長(cháng)了機械泵的使用壽命。原料罐、收集罐可以封閉后直接放入手套箱操作，避免了大氣中水、氧等對材料的影響。腔體、管道、閥門(mén)采用316不銹鋼材質(zhì)，內壁有40um的聚四氟涂層，避免金屬腔體對材料的污染；外表進(jìn)行精拋光處理，便于清理。

名稱(chēng)

分體式升華設備將熱場(chǎng)置于手套箱 BOF-3-50V

設備型號：BOF-3-50V 設備簡(jiǎn)介：此款設備簡(jiǎn)易分體式結構，能將升華體置于手套箱內部，控制部分及真空部分置于手套箱外，操作簡(jiǎn)易。能初步滿(mǎn)足材料進(jìn)出及升華過(guò)程中的氣氛保護要求。法蘭為球頭真空吸附方式密封，無(wú)需工具操作，大大降低了手套箱內的操作難度，整個(gè)操作過(guò)程材料與大氣隔絕，避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染，是制備高純度半導體前驅體及相關(guān)材料的最佳選擇。

名稱(chēng)

新款智能型等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統 PECVD-500A

設備型號：PECVD-500A

名稱(chēng)

升降雙溫區立式管式爐 VTF-1700C-SL-80-A

設備型號：VTF-1700C-SL-80-A 設備簡(jiǎn)介：該款設備是雙溫區立式管式爐（1400℃+1700℃），最高溫度可以達1700度，采用雙層殼體結構，使得殼體表面溫度＜65℃，高純度氧化鋁纖維作為爐膛保溫材料，主要應用領(lǐng)域如碳納米管生長(cháng)，陶瓷燒結退火，單晶生長(cháng)等。

名稱(chēng)

1200℃加長(cháng)雙溫區管式爐 BTF-1200C-II-D-880

設備型號：BTF-1200C-II-D-880

名稱(chēng)

卷對卷連續化走絲BN沉積系統 RTR-1400C-III-60

設備型號：RTR-1400C-III-60 設備簡(jiǎn)介：該設備為我司研發(fā)用于材料連續生長(cháng)的專(zhuān)用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)加熱系統，真空密封腔室，剛玉管，SiC纖維卷繞部件，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)。

名稱(chēng)

卷對卷連續化生長(cháng)CVD設備 RTR-III-80

設備型號：RTR-III-80 設備簡(jiǎn)介：該設備為我司研發(fā)用于石墨烯薄膜連續生長(cháng)或者線(xiàn)性材料的連續的專(zhuān)用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)腔體，三路質(zhì)量流量計氣路系統，真空機組，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔或纖維絲的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)，可以進(jìn)行大面積、高質(zhì)量石墨烯的規?；L(cháng)或者線(xiàn)性材料的連續生長(cháng)。（纖維生長(cháng)工藝，配有纖維張力計，可以通過(guò)調節電機轉速，以便達到纖維連續進(jìn)出且受力均勻）

名稱(chēng)

大三溫區立式爐 VTF-1200C-III-A-100

設備型號：VTF-1200C-III-A-100 設備簡(jiǎn)介：該設備為三溫區立式加熱爐，最高溫度為1200℃，加熱區域300+300+300.加熱爐管為高純石英管，兩端配有水冷法蘭，爐管及法蘭固定在擺動(dòng)機構上，擺動(dòng)機構可以將爐管轉出加熱區，以實(shí)現快速降溫。

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箱式滑軌熱壓爐 MF-1200C-SL-VP

公斤級回轉爐 BTF-1200C-III-R-150

粉體碳納米管生長(cháng)設備 BTF-1200C-3VT-5Z

回轉放氣爐 BTF-700C-III-R

間歇式CVD回轉爐 BTF-1200C-III-150-CVD

智能型大口徑高真空退火爐 BTF-1100C-IIIA-05

單溫區立式攪拌爐 BTF-700C-VT-50

智能升降鐘罩爐 BTF-1200C-BELL

小型浮動(dòng)催化系統 BTF-1500C-CVD

定制型升華設備 BOF-2C-400D

雙管式高真空管式設備 BSL-1ZH-D80-2D

搖擺管式爐（Swing tube furnace）

雙獨立溫場(chǎng)高溫滑軌爐（High temperature slide furnace with double independent temperature field）

1200℃智能型PECVD系統（含壓力控制系統） PECVD-500A-D

定制小型立式滑軌爐 BTF-700C-III-SVT

1200℃前端預熱法硫化鉬制備CVD設備 BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D

800℃十六管熱穩定測試設備 BOF-800C-16D

中試流化床-粉體碳納米管生長(cháng)設備 BTF-1200C-5VT-D200

磁控濺射儀 BT250

1200℃智能型單溫區滑軌式熱處理設備 BTF-1200C-SL-4Z

半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀

半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀

垂直式升華儀 BOF-2-200L

分體式升華設備將熱場(chǎng)置于手套箱 BOF-3-50V

新款智能型等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統 PECVD-500A

升降雙溫區立式管式爐 VTF-1700C-SL-80-A

1200℃加長(cháng)雙溫區管式爐 BTF-1200C-II-D-880

卷對卷連續化走絲BN沉積系統 RTR-1400C-III-60

卷對卷連續化生長(cháng)CVD設備 RTR-III-80

大三溫區立式爐 VTF-1200C-III-A-100