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名稱(chēng)

量產(chǎn)級有機小分子提純設備升華儀 BOF-8-300（新款）

設備型號：BOF-8-300

名稱(chēng)

卷對卷連續化生長(cháng)CVD設備 RTR-III-80

設備型號：RTR-III-80 設備簡(jiǎn)介：該設備為我司研發(fā)用于石墨烯薄膜連續生長(cháng)或者線(xiàn)性材料的連續的專(zhuān)用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)腔體，三路質(zhì)量流量計氣路系統，真空機組，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔或纖維絲的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)，可以進(jìn)行大面積、高質(zhì)量石墨烯的規?；L(cháng)或者線(xiàn)性材料的連續生長(cháng)。（纖維生長(cháng)工藝，配有纖維張力計，可以通過(guò)調節電機轉速，以便達到纖維連續進(jìn)出且受力均勻）

名稱(chēng)

大三溫區立式爐 VTF-1200C-III-A-100

設備型號：VTF-1200C-III-A-100 設備簡(jiǎn)介：該設備為三溫區立式加熱爐，最高溫度為1200℃，加熱區域300+300+300.加熱爐管為高純石英管，兩端配有水冷法蘭，爐管及法蘭固定在擺動(dòng)機構上，擺動(dòng)機構可以將爐管轉出加熱區，以實(shí)現快速降溫。

名稱(chēng)

開(kāi)啟式立式爐 BTF-1200C-SVT-12

名稱(chēng)

自動(dòng)進(jìn)料回轉CVD系統 BTF-1200C-R-CVD

型號：BTF-1200C-R-CVD

名稱(chēng)

大口徑動(dòng)態(tài)plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150

設備型號：RTR-150 設備簡(jiǎn)介：該設備為我司研發(fā)用于材料連續生長(cháng)的專(zhuān)用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長(cháng)爐，它由高溫生長(cháng)腔體，質(zhì)量流量計氣路系統，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動(dòng)化控制系統組成，兩端分別安裝有進(jìn)料進(jìn)氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術(shù)具有快速冷卻、連續生長(cháng)的優(yōu)點(diǎn)。

名稱(chēng)

回轉PECVD BTF-1200C-R-PECVD

設備型號：BTF-1200C-R-PECVD 設備簡(jiǎn)介：本款設備可以做金屬復合石墨烯材料，是目前最高端的金屬復合材料制備設備?？梢杂糜趧?dòng)力電池，提升電池內阻和能量密度，有效解決新能源汽車(chē)電池的問(wèn)題。設備爐管可360度旋轉，管內壁有石英擋片幫助粉料翻轉有助于燒結得更均勻；可左右大角度傾斜，方便出放料，傾斜角度在0~35°之間。全自動(dòng)Plasma增強CVD系統(PECVD)，連續可控溫度以及Plasma強度等，配備真空系統，可以實(shí)現低壓條件下的實(shí)驗，針對低溫石墨烯、碳納米管生長(cháng)等。PECVD系統能使整個(gè)實(shí)驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現象。

名稱(chēng)

二維材料生長(cháng)CVD系統

名稱(chēng)

碳納米纖維膜系統 BTF-1400C-CN-80

設備型號：BTF-1400C-CN-80 設備簡(jiǎn)介：碳納米纖維膜系統，是通過(guò)集高溫場(chǎng)、設計的薄膜采集系統及液態(tài)碳源調控系統于一體的碳納米管制備設備。此系統采取液態(tài)碳源的方式，通過(guò)載氣和壓力引導，使碳源通過(guò)高溫區，并在高溫區進(jìn)行裂解，在催化劑等的作用下得到碳納米管材料，此材料最終沉積后端收集系統的成膜區，形成碳納米管薄膜，可被應用于眾多光電領(lǐng)域。

名稱(chēng)

公斤級有機半導體材料提純升華儀 BOF-6-210

設備型號：BOF-6-210

名稱(chēng)

OLED真空攪拌勻料系統 BTF-1200C-RF-II-210

設備型號：BTF-1200C-RF-II-210

名稱(chēng)

高真空封口機 BOF-04PA

設備型號：BOF-04PA 設備簡(jiǎn)介：高真空封口機為老化試驗封裝而設計，本設備配備進(jìn)口高真空機組，氫氧發(fā)生源，旋轉真空機構，微調結構等。設備操作簡(jiǎn)單、安全、方便。

名稱(chēng)

1400℃真空淬火爐 BTF-1400C-BVT

設備型號：BTF-1400C-BVT 設備簡(jiǎn)介：BTF-1400C-BVT是一款立式真空淬火爐，配有一個(gè)密封的儲液罐；可在真空或氣氛環(huán)境下對各種樣件進(jìn)行淬火，從最高溫度1400度快速落入冰水或油中，很大程度上減少了樣件的氧化和形變，適用于各種金屬樣件的淬火。

名稱(chēng)

18.7L 1200℃真空氣氛箱式爐 ZMF-1200C-M

設備型號：ZMF-1200C-M

名稱(chēng)

真空氣氛箱式爐 ZMF-1400C

設備型號：ZMF-1400C 設備簡(jiǎn)介：貝意克自主研發(fā)生產(chǎn)的ZMF-1400C真空箱式爐系列用于在1350℃以下金屬材料的熱處理和還原性燒結等工藝，也可用于產(chǎn)品的炭化試驗。該爐采用優(yōu)質(zhì)U型硅棒加熱，PID程序控溫儀控制，溫控儀可設定30段升溫曲線(xiàn)、PID控制參數自整定、并具有斷偶、超溫報警保護等功能。爐體采用超輕質(zhì)高鋁纖維材料，具有熱容小、溫度升降控制靈活、節能等特點(diǎn)，真空加熱室由雙層鋼板焊成圓桶形密封套，內裝爐膛和端蓋，為設備提供優(yōu)良的真空加熱環(huán)境；同時(shí)利用鋼板夾層隔絕熱量，降低了爐體表面溫度，防止灼傷。設備可根據真空度的需要分別選用機械泵或真空機組，非常適合于試驗和小批量生產(chǎn)之用。

名稱(chēng)

流化床—粉體碳納米管生長(cháng)設備

設備簡(jiǎn)介：流化床—化學(xué)氣相沉積法可控及批量制備碳納米管設備，該設備包括有：自動(dòng)加液裝置、超聲波霧化發(fā)生裝置、氣體供應裝置、氣體流量控制裝置、三溫區流化床反應器及加熱裝置、旋風(fēng)分離器、固體收集裝置、凈化處理裝置。氣體供應裝置出氣口在經(jīng)過(guò)氣體流量控制裝置后與超聲波霧化裝置進(jìn)氣口相連接，自動(dòng)加液裝置出液口與超聲波霧化發(fā)生裝置進(jìn)液口相連接，通過(guò)霧化裝置內部的液體控制裝置來(lái)控制加液。超聲波霧化裝置的出口與三溫區流化床反應器的進(jìn)料口相連接，反應器的出料口通過(guò)透明管與旋風(fēng)分離器相連接，旋風(fēng)分離器上面的氣體出口與凈化處理裝置相連接，下面的固體捕集出口與固體收集器相連接。經(jīng)過(guò)旋風(fēng)分離器后，大量的氣體向上通過(guò)凈化裝置后排向大氣，而固體則捕集到固體收集裝置中。碳納米管生長(cháng)最難控制的就是氣場(chǎng)和流場(chǎng)溫度差異相互影響，由于變量太多，無(wú)法確保生長(cháng)的碳納米管形態(tài)一致，從而質(zhì)量非常低，本方案完全解決氣場(chǎng)和流場(chǎng)及溫度變量的相互影響。本方案通過(guò)流量計和靜態(tài)混氣室把氣體均勻混拌，通過(guò)上通氣，氣體通過(guò)雙層管(夾層管預熱氣體，內腔體生長(cháng)碳納米管)確保通入的氣體進(jìn)入生長(cháng)腔體內溫度一直，通過(guò)多空陶瓷網(wǎng)的結構設計，從而解決均勻進(jìn)氣的問(wèn)題。使的生長(cháng)腔體熱場(chǎng)流場(chǎng)穩定，確保得到高質(zhì)量重復性好的碳納米管。

名稱(chēng)

智能型雙溫區等離子化學(xué)氣相沉積系統 BTF-1200C-II-AS-500A

設備型號：BTF-1200C-II-AS-500A

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